流畅的情景空间——手绘的魔力_2014年第一届中国照明手绘艺术设计大赛 2014中国照明网线下活动
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     1 [电光源 白光 LED用碱土金属硅酸盐荧光粉的光谱性质
    2014-4-10发布  
    作者
    采用固相法合成了 A: (SrBa)3SiO5∶0. 024Ce3 +, 0. 024Li+; B: Sr2. 73M0. 2SiO5∶0. 07Eu2 +(M = Ba,Mg,Ca) ; C: (SrBa)3SiO5∶xEu2 +三个系列的硅酸盐荧光粉。测量了它们的激发光谱和发射光谱。Ce3 +激活的硅酸盐荧光粉 (A系列 )有 351, 418 nm两个激发峰 , 418 nm这个峰较强。
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    标签
     2 [电光源 空穴传输层厚度对OLED性能的影响
    2014-4-4发布  
    作者:阳秀 黎威志 钟志有 蒋亚东
    该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK(0-60nm)/Alq3(60nm)/Mg:Ag/Al有机发光二极管。通过测试器件的电流-电压—发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹配。实验结果表明,有机发光二板管的光电性能与空穴传输层的厚度…
     3 [电光源 GaN外延片中载流子浓度的纵向分布
    2014-4-2发布  
    作者:方文卿 李述体 刘和初 江风益
    采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ECV)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布。探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考。还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1030e)硅在GaN…
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    标签GaN 硅扩散 氮化镓 电化学电容电压
     4 [电光源 【特约】基于DS1302和Attiny13的LED定时调光器设计
    2014-3-31发布  
    作者:林方盛 江磊 刘木清
    在LED路灯控制系统中常需要定时控制,而其中定时器的设计至关重要。通过对比,本文采用DS1302这款高性能、低功耗的RTC时钟芯片。本设计中介绍了整套定时器系统的结构,给出了Attiny13和DS1302接口电路以及软件程序,同时对DS1302烧写实时时间的模块进行软硬件部分的设计。整套系统通过LED路灯的定时开关和分时PWM调光达到节能的目的。
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    标签LED DS1302 Attiny13 定时器 PWM调光
     5 [电光源 解读EMC封装成形常见缺陷及其对策
    2014-3-20发布  
    作者
    塑料封装以其独特的优势而成为当前微电子封装的主流,约占封装市场的95%以上。塑封产品的广泛应用,也为塑料封装带来了前所未有的发展,但是几乎所有的塑封产品成形缺陷问题总是普遍存在的,也无论是采用先进的传递模注封装,还是采用传统的单注塑模封装,都是无法完全避免的。
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    标签EMC封装 封装工艺 塑料封装
     6 [电光源 如何选择LED驱动电源的拓扑结构
    2013-11-27发布  
    作者
    LED 的高可靠性(使用寿命超过50,000 个小时)、较高的效率(》120 流明/瓦)以及近乎瞬时的响应能力使其成为极具吸引力的光源。
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    标签LED LED驱动电源 拓扑结构
     7 [电光源 稀土荧光灯的色容差调整对光通量的影响
    2013-11-18发布  
    作者:丁有生 汪晖
    照明用稀土荧光灯具有光效高、显色性好、光色舒适等突出优点,越来越受到人们的青睐。
    2281人次浏览 [在线阅读
    标签稀土荧光灯 色容差 光通量
     8 [电光源 高亮度细粒径荧光粉的封装应用研究
    2013-11-5发布  
    作者:徐俊峰 梁超 符义兵
    采用自主开发的YH型YAG荧光粉产品与市售进口及国产同类产品的光色指标及粒径等进行了全面对比分析。在此基础上,通过封装测试,对荧光粉的初始光效、老化性能及量产打靶集中度等封装应用性能进行了系统试验研究,并结合量产数据对成本控制进行了测算。
     9 [电光源 投影光源兼容性和驱动技术研讨
    2013-10-22发布  
    作者:余明云 张蔚东 丁有生
    详细介绍了高兼容性投影灯与配套驱动器的设计与实现,致力于研究具有广泛兼容特性的投影光源。以实现投影仪用光源全面国产化作为方向,对投影灯和驱动的技术协调进行重点研究和实验,并进行了市场化推广与验证。实践证明我们的尝试是成功的,对于实现投影仪用光源的全面国产化有积极意义。
     10 [电光源 牺牲Ni 退火对硅衬底GaN 基发光二极管p 型接触影响的研究
    2013-9-11发布  
    作者:王光绪 陶喜霞 熊传兵 刘军林 封飞飞 张萌 江风益
    本文通过在硅衬底发光二极管( LED) 薄膜p-GaN 表面蒸发不同厚度的Ni 覆盖层,将其在N2 ∶ O2 = 4∶ 1的气氛中、400℃—750℃ 的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni 覆盖层之后制备Pt / p-GaN 欧姆接触层。
    第十四届照明奖
    第十三届照明奖
    第十二届照明奖
    第十一届照明奖
    2015年9月11日上午,由中国照明学会主办“2015中国照明论坛”在南京…
    最新论文回贴及评论
    可否提供诸玉华的联系方式?
    中照网网友 在2018-6-6 17:54:50发表 
    shiyong
    中照网网友 在2016-12-29 17:53:27发表 
    伟然科技照明
    中照网网友 在2016-6-2 11:44:56发表 
    这个确实是事实,可是国家一边为了照顾经济发展,一边又没有投入资金对企业进行辅导,确实让企业也茫然。是无奈还是放任,这需…
    中照网网友 在2016-5-19 11:36:38发表 
    夜间照明肯定离不开光敏二极管啊,自动控制照明开启关闭。光敏二极管厂家:深圳市鑫永诚光电科技有限公司,联系人张小姐:1587…
    中照网网友 在2016-5-16 17:29:51发表 
    欢迎各位网友踊跃投稿!
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